微波/射频集成VCO/PLS/PDRO/DRO振荡源  射频/微波/毫米波功能组件及子系统

 
 
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 3-集成晶体振荡器系列产品
 
     晶体振荡器是各类电子系统的核心器件之一。作为中高端产品供应商，近年致力于星用晶振和集成化晶振的研发、生产。充分借助我们宇航混合集成电路工艺线优势，星用晶振形成内部全混合集成或专用混合集成模块的设计模式，在体积、可靠性等方面均优于原全分离产品，已具备飞行经历，可提供CAST、SAST、LMS等各质量要求产品。
     在集成化方面， IC设计团队与晶振设计团队合作研发了 TCXO、OCXO、可编程VCXO等ASIC。新推出的集成化OCXO是目前业界体积最小的军品产品（9×14×6mm），全自主设计，全国产化，性能优良。抗振晶振采用自主设计的低G灵敏度晶体、加速度补偿技术、微型减振器等，动态相噪指标进一步得到提高。
 
 
 
3.1-宇航晶体振荡器
型号
频率范围
f(MHz)
频率温度稳定度
ppm
相噪SΦ(dBc/Hz)
(fm=1KHz/100KHz)10MHz Typ
封装尺寸
mm
输出功率
dBm
   OXLN384/OXLN386恒温系列
40～128
±0.02～0.5
-155/-167(100MHz)
38×38×16
+5~+13
   OXLN384D-S-HT-N@100MB
100
±0.15
-150/-160(100MHz)
38×38×16
+10
   OXLN513/OXLN515恒温系列
10～128
±0.02～0.5
-115/-155(1Hz/1KHz)
50×50×18
+3~+9
   OXLN513D-S-KR-V@10M23
10.23
±0.02
-110/-150(1Hz/1KHz)
50×50×18
+5~+8
   OX515D-S-HR-N@102Mxx
102.x
±0.1
-145/-160(100MHz)
50×50×20
+7
   OXLN570D-S-GT-N@100MB
100
±0.2
-150/-165(100MHz)
70×50×26
+6~+9
   OX605D-S-JT-N@65Mxxx
65.xxx
±0.05
-135/-145(65MHz)
80×47×22.6
+7
   TXA9（SMD）温补系列
10～100
±0.5～5
-150/-155
21×15×4
0~+5
   TX14温补系列
10～40
±0.5～5
-150/-155
24.7×12.6×6.5
0~+5
   TX15温补系列
40～100
±0.5～5
-135/-145(100MHz)
25×15×8.5
0~+5
   TX24温补系列
10～100
±0.5～5
-150/-155
33×20×12.7
0~+5
   TX24B-S-HT-N@20M
20
±2
-140/1KHz
33×20×12.7
0~+5
   TX381D-S-JQ-N@80M
80
±2
-135/-145(80MHz)
38×38×13
0~+5
   TX606D-S-HT-N@100M
50、100
±2
-135/-145(100MHz)
70×60×20
0~+5
   TX992D-S-JQ-N@100M
50、100、80
±2
-135/-145(100MHz)
100×90×20
0~+5
   VXM23（SMD）压控系列
10～100
±10～100
-145/-155
18×13.8×5.15
+5~+10
   VX14压控系列
10～100
±10～100
-140/-150
24.7×12.6×6.5
+5~+10
   PXA9（SMD）系列
10～100
±10～100
-150/-155
21×15×4
0~+5
   PXA9B-S-HW-N@20M
20
±50
-145/-150(20MHz)
21×15×4
0~+5
   PX14系列
10～125
±10～100
-140/-155
24.7×12.6×6.5
+5~+10
 
 
3.2-超低相噪晶体振荡器 (OXLNs、PXLNs)
型号
频率范围
f(MHz)
频率温度稳定度
ppm
相噪SΦ(dBc/Hz)
100MHz Typ
G灵敏度
ppb/g
封装尺寸
mm
输出功率
dBm
   OXLN205小体积低相噪系列
40～128
±0.02～0.5
B~D档
1~3
20×20×10
+7~+12
   OXLN205D-S-JT-R@100MD
100
±0.05
-160/1KHz
1~3
20×20×10
+10
   OXLNM25小体积(SMD)系列
40～128
±0.02～0.5
B~D档
1~3
22×25×11
+8~+12
   OXLN254超低相噪系列
40～128
±0.02～0.5
A~DE档
0.2~3
25×25×12.7
+8~+12
   OXLN254D-S-JT-R@100MDE
100
±0.05
-163/1KHz
0.2~3
25×25×12.7
+10
   OXLN258低高度系列
40～128
±0.02～0.5
A~CE档
0.5~2
25×25×8.5
+8~+12
   OXLN258D-S-JT-R@100MCE
100
±0.05
-158/1KHz
0.5~2
25×25×8.5
+10
   OXLN36系列
10～128
±0.02～0.5
A~E档
0.2~1
36×27×12.7
+8~+12
   OXLN38X系列
10～128
±0.02～0.5
A~E档
0.1~1
38×38×H
+8~+12
   OXLN38D-S-KT-V@10MF
10
±0.02
-170/1KHz
0.2~1
38×38×16
+12
   OXLN5X超低相噪系列
10~128
±0.02~0.5
C~S档
0.2~1
50×50×H
+8~+12
   OXLN59D-S-GT-V@100ME
100
±0.2
-165/1KHz
0.2~1
50×50×16
+12
   OXLN585低短稳系列
10
±0.02
-115/1Hz
0.2~1
50×50×16
+6
   OXLN505高稳低老化系列
40~120
±0.002~0.05
A~D档
0.5~2
50×50×19
+5~+10
   OXLN505D-S-MT-V@100MCE
100
±0.005
-158/1KHz
0.5~2
50×50×19
+7
   OXLN59大功率超低相噪系列
40~120
±0.05~0.5
A~D档
0.5~2
50×50×16
+15~+30
   OXLN59E-S-GT-V@100MD
100
±0.2
-160/1KHz
0.5~2
50×50×16
+30
    注：1、相噪等级定义见命名规则。2、可提供PLXN20、PLXN32系列低相噪普通晶振，相噪优于-153dBc/Hz/1KHz@100MHz。
 
3.3-抗振晶体振荡器 (OXKs、PLXKs、TXKs)
型号
频率范围
f(MHz)
晶体切型
频率温度稳定度
ppm
相噪SΦ(dBc/Hz)
(fm=1KHz/100KHz)100MHz Typ
封装尺寸
mm
输出选择
   OXK38系列
40～128
SC
±0.05～0.5
A~D(静态)  A~C(动态)
38×38×19
S
   OXK40系列
40～128
SC
±0.05～0.5
A~D(静态)  A~C(动态)
40×40×20
S
   OXK581系列
40～128
SC
±0.05～0.5
A~D(静态)  A~D(动态)
50×50×25
S
   OXK606系列
40～128
SC
±0.05～0.5
A~D(静态)  A~E(动态)
-
S
   PLXK509系列
40～128
SC
同参考源
J~N(静态)
50×50×25
S
   PLXK511系列
40～128
SC
同参考源
J~N(静态)
50×50×25
S
   TXK38系列
10～100
AT
±0.5～5
A~B(静态)  A~B(动态)
38×38×19
S/H
   TXK15系列
10～40
AT
±0.5～5
-135/-150(静态)  -125/-150(动态) (10MHz)
25×15×12.7
T/H/C
  TXK251系列(软线)
10～100
AT
±0.5～5
-145/-150(静态)  -125/-150(动态) (10MHz)
25×25×12.7
S/T/H
    注：1、相噪等级定义见命名规则。2、可根据用户要求定制其他封装。
 
3.4-抗冲击晶体振荡器 (TXCs、PXCs)
型号
频率范围
f(MHz)
频率温度稳定度
ppm
抗冲击能力
g（min）
相噪SΦ(dBc/Hz)
(fm=1KHz/100KHz)10MHz Typ
封装尺寸
mm
输出选择
   TXC14抗冲击温补系列
10～100
±0.5～5
3000～10000
-140/-160(100MHz)
24.7×12.6×6.5
C/H/S
   TXC07抗冲击温补系列
10～40
±0.28～5
5000～20000
-145/-155
5×7×2
C/H
   TXC05抗冲击温补系列
10～40
±0.5～5
5000～20000
-140/-155
5×3.2×1.8
C/H/S
   PXC07抗冲击普通系列
10～125
±10～100
5000～20000
-140/-150
5×7×2
C/H
 
 
3.5-锁相晶体振荡器 (PLXs)
型号
频率范围
f(MHz)
相噪SΦ(dBc/Hz)(锁定后)
(fm=1KHz/100KHz)100MHz/12V Typ
封装尺寸
mm
G灵敏度
ppb/g
功能描述
   PLX36系列
10～100
-135/-150
36×27×12.7
1~2
带锁定指示
   PLX38系列
10～128
-155/-165
38×38×12.7
0.5~2
带锁定指示
   PLX403系列
10～128
-155/-165
40×40×12
1~2
带锁定指示,可选:参考检测
   PLX505/512系列
10～128
-160/-170
50×50×16
0.2~2
带锁定指示,参考检测,可选:内外参考
注：PLX3x系列内部一般采用VCXO；PLX4x/5x系列内部一般采用低相噪VCOCXO。可根据用户要求定制其他功能和封装的产品。
 
3.6-恒温晶体振荡器 (OCXOs)
型号
频率范围
f(MHz)
晶体
切型
频率温度稳定度
ppm
相噪SΦ(dBc/Hz)
(fm=1KHz/100KHz)100MHz Typ
封装尺寸
mm
输出选择
   OXM97系列(SMD低功耗)
8～40
AT
±0.03～0.3
-140/-150(10MHz)
9×14×6
T/H
   OXM97A-H-KW-V@10M
10
AT
±0.03
-145/-152
9×14×6
T/H
   OX12系列
12.8～50
SC
±0.01～0.2
-150/-155(40MHz)
21×13×10
S/T/H
   OX14系列
8～120
AT
±0.05～0.5
-135/-145(10MHz)
24.7×12.6×10
S/T/H
   OX20x/OXM25(SMD)系列
10～128
SC
±0.01～0.2
-145/-150(10MHz)
20×20×10, 25.4×22×H
S/T/H
   OX202B-S-JT-R@10M
10
SC
±0.005～0.2
-150/-155(10MHz)
20×20×10
S
   OX25x系列
10～128
SC
±0.005～0.2
-140/-145
25.4×25.4×12.7
S/T/H
   OX254B-H-MR-R@10M
10
SC
±0.005
-150/-155(10MHz)
25.4×25.4×12.7
H
   OX36x系列
10～128
SC
±0.002～0.2
-140/-145
36×27×12.7
S/T/H
   OX36D-H-MR-R@10M
10
SC
±0.003
-150/-155(10MHz)
36×27×12.7
H
   DOX36/50x系列(双层恒温)
10～20
SC
±0.1ppb～5ppb
-150/-155(10MHz)
36×27×16, 50.8×50.8×25
S/T/H
 
3.7-温度补偿晶体振荡器 (TCXOs)
型号
频率范围
f(MHz)
频率温度稳定度
ppm
工作温度范围
Max
工作电压
V
输出选择
*
封装尺寸
mm
   TXM05系列(SMD)
5～40
±0.28～5
-40～+85℃
3.3
H/C
5×3.2×1.8
   TXM07/71系列(SMD)
5～50
±0.28～5
-40～+85℃
3.3
H/C
5×7×2
   TXM97系列(SMD)
5～50
±0.28～5
-55～+85℃
5/3.3
S/T/H/C
9×14×4
   TXM14(SMD)系列
10～100
±0.5～5
-40～+85℃
12/5/3.3
S/T/H/C
20.6×13.8×5.9
   TX12/TX14/TX15系列
10～120
±0.5～5
-55～+85℃
12/5/3.3
S/T/H/C
-
   TXLN14/15低相噪系列
10～120
±0.5～5
-55～+85℃
相噪：-145~ -150dBc/1KHz/100MHz
   TXG36系列(高频)
120～600
±0.5～5
-55～+85℃
12/5
S
36×27×12.7
 
3.8-电压控制晶体振荡器 (VCXOs)
型号
频率范围
f(MHz)
频率温度稳定度
ppm
压控线性
压控频率范围
ppm
工作电压
V
输出选择
*
   VXM72(SMD)系列（可编程）
15～1300
±10～50
±5～20％
±12.5～750
3.3
LP
   VX12/Vx14/VXM14(SMD)系列
0.75～100
±10～50
±5～20％
±30～200
12/5
S/T/H/C
   VXM15系列(SMD高频)
0.75～700
±10～50
±5～20％
±100～200
3.3
S/H/LP
注：除VXM15系列外，频率>35MHz压控频率范围为±30ppm; 需宽压控频率范围可选倍频输出。
 
 
3.9-晶体振荡器 (PXOs)
型号
频率范围
f(MHz)
频率温度稳定度
ppm
频率准确度
Ta=25
工作电压
V
输出选择
*
   PXM72(SMD)系列（可编程）
15～1300
±10～50
±5ppm
3.3
LP
   PXM07(SMD)系列
10～160
±10～50
±5~10ppm
3.3
H
   PXM71(SMD)系列
0.75～800
±10～50
±5~10ppm
3.3
H/LP/LD
   PX12/PX14/PX15系列
1～160
±10～50
±5ppm
12/5
S/T/H
 
 
3.10-时钟模块 (TMs)及晶振组合
型号
输出频率
输入信号
保持精度(24h)
uS
功能描述
工作电压
V
输出电平
   TM50系列
10MHz
1pps（北斗/GPS）
2
锁定指示、1pps及10MHz输出
5
CMOS
   晶振组合
不同源多选一开关晶振组合、不同源多路同时输出晶振组合、同源多路输出晶振组合、抗振同源多路输出晶振组合、
锁相倍频多路输出晶振组合、 内置谐波发生器晶振组合、内置倍频器晶振组合
 
3.11-晶体谐振器 (XTALs)
切型
频率范围
f(MHz)
年老化
ppm(Max)
封装
   SC切
10～128
±0.05～0.5
SMD7050、SM62、UM-1、HC35/U、HC-37/U、HC-43/U
   AT切
8～210
±0.5～3
SMD5032、SMD6035、SM62、UM-1、UM-5、HC35/U
 
 
 
《第3部分/集成晶体振荡器PDF电子版产品手册》（6.3MB)
 
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